FDG6322C
Hersteller Produktnummer:

FDG6322C

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDG6322C-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventar:

29094 Stück Neu Original Auf Lager
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FDG6322C Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
220mA, 410mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9.5pF @ 10V
Leistung - Max
300mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88 (SC-70-6)
Basis-Produktnummer
FDG6322

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDG6322CCT
FDG6322CDKR
FDG6322CTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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