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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FDG6308P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDG6308P-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12837688
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FDG6308P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
600mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
153pF @ 10V
Leistung - Max
300mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88 (SC-70-6)
Basis-Produktnummer
FDG6308
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FDG6308P
HTML-Datenblatt
FDG6308P-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDG6308P-DG
2156-FDG6308P-OS
FDG6308PTR
ONSONSFDG6308P
FDG6308PDKR
FDG6308PCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTJD4152PT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
15411
TEILNUMMER
NTJD4152PT1G-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
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