Hersteller Produktnummer:
FDG316P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDG316P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC88
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventar:
12840130
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FDG316P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
165 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
FDG316
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDG316PDKR
FDG316PCT
FDG316PTR
FDG316P-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTJS4151PT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
10423
TEILNUMMER
NTJS4151PT1G-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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