Hersteller Produktnummer:
FDG315N
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDG315N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventar:
12850111
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FDG315N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
220 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer
FDG315
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-FDG315NTR
FDG315NCT
FDG315N-DG
FDG315NDKR
FDG315NTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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