Hersteller Produktnummer:
FDFS2P102A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDFS2P102A-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12839210
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Menge
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FDFS2P102A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
182 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDFS2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDFS2P102A_NLCT
FDFS2P102A_NLTR
FDFS2P102ADKR
FDFS2P102ACT-NDR
FDFS2P102ACT
FDFS2P102A_NL
FDFS2P102ATR
FDFS2P102ATR-NDR
FDFS2P102A_NLTR-DG
FDFS2P102A_NLCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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