Hersteller Produktnummer:
FDD8778
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD8778-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12847328
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FDD8778 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
845 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD877
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD135N03LGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
31780
TEILNUMMER
IPD135N03LGATMA1-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
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