Hersteller Produktnummer:
FDD86367-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD86367-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
943 Stück Neu Original Auf Lager
12839771
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FDD86367-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4840 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD86367
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD86367F085
FDD86367_F085
FDD86367_F085CT
FDD86367_F085DKR-DG
FDD86367_F085TR
FDD86367_F085DKR
FDD86367-F085CT
FDD86367_F085TR-DG
FDD86367-F085TR
FDD86367-F085DKR
FDD86367_F085CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD050N10N5ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8938
TEILNUMMER
IPD050N10N5ATMA1-DG
Einheitspreis
1.12
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IPD046N08N5ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
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2400
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IPD046N08N5ATMA1-DG
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