Hersteller Produktnummer:
FDD8586
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD8586-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12836790
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FDD8586 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2480 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
77W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD858
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD8586CT
FDD8586DKR
FDD8586TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR3711ZTRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
7103
TEILNUMMER
IRFR3711ZTRPBF-DG
Einheitspreis
0.42
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