Hersteller Produktnummer:
FDD6778A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD6778A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 10A (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12839169
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FDD6778A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD677
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD6778ACT
FDD6778ATR
FDD6778ADKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD135N03LGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
31780
TEILNUMMER
IPD135N03LGATMA1-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
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