Hersteller Produktnummer:
FDD5N50UTM-WS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD5N50UTM-WS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12847541
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FDD5N50UTM-WS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
FRFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
650 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD5N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD5N50UTM_WSDKR-DG
2832-FDD5N50UTM-WSTR
FDD5N50UTM_WS-DG
FDD5N50UTM_WSTR
2832-FDD5N50UTM-WS-488
FDD5N50UTM-WSCT
FDD5N50UTM_WS
FDD5N50UTM_WSCT
FDD5N50UTM_WSTR-DG
FDD5N50UTM_WSCT-DG
FDD5N50UTM-WSTR
FDD5N50UTM-WSDKR
FDD5N50UTM_WSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR430APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2743
TEILNUMMER
IRFR430APBF-DG
Einheitspreis
0.70
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