Hersteller Produktnummer:
FDD4N60NZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD4N60NZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12835966
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FDD4N60NZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
UniFET-II™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD4N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD4N60NZ-DG
FDD4N60NZCT
FDD4N60NZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD4NK60ZT4
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2241
TEILNUMMER
STD4NK60ZT4-DG
Einheitspreis
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