Hersteller Produktnummer:

FDC2612_F095

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDC2612_F095-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

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FDC2612_F095 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

PowerTrench®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

200 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

725mOhm @ 1.1A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

234 pF @ 100 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

SuperSOT™-6

Paket / Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Basis-Produktnummer

FDC2612

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

FDC2612_F095-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer

FDC2612

HERSTELLER

onsemi

VERFÜGBARE ANZAHL

0

TEILNUMMER

FDC2612-DG

Einheitspreis

0.22

ERSATZART

Parametric Equivalent

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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