Hersteller Produktnummer:
FDB8880
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB8880-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12848707
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FDB8880 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 54A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1240 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB888
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB8880-DG
FDB8880DKR
FDB8880TR
FDB8880CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN4R3-30BL,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
9945
TEILNUMMER
PSMN4R3-30BL,118-DG
Einheitspreis
0.58
ERSATZART
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PSMN017-30BL,118
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