Hersteller Produktnummer:
FDB86366-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB86366-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
782 Stück Neu Original Auf Lager
12849520
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FDB86366-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6280 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
176W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB86366
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB86366-F085CT
FDB86366-F085DKR
FDB86366_F085
2156-FDB86366-F085-OS
ONSONSFDB86366-F085
FDB86366-F085TR
FDB86366_F085CT-DG
FDB86366_F085TR-DG
FDB86366_F085-DG
FDB86366_F085TR
FDB86366_F085DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NVMFS6H801NLT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NVMFS6H801NLT1G-DG
Einheitspreis
1.01
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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