Hersteller Produktnummer:
FDB8441-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB8441-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12848101
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FDB8441-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB844
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2156-FDB8441-F085-OS
FDB8441_F085-DG
FDB8441_F085CT
FDB8441-F085TR
FDB8441_F085DKR-DG
2832-FDB8441-F085TR
FDB8441-F085DKR
FDB8441-F085CT
FDB8441_F085TR
FDB8441_F085CT-DG
FDB8441_F085DKR
FDB8441_F085
ONSONSFDB8441-F085
FDB8441_F085TR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB120N04S401ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1863
TEILNUMMER
IPB120N04S401ATMA1-DG
Einheitspreis
1.52
ERSATZART
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STB170NF04-DG
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ERSATZART
Direct
Teilenummer
IPB120N04S402ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1734
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IPB120N04S402ATMA1-DG
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