Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FDB5800
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB5800-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
460 Stück Neu Original Auf Lager
12836870
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDB5800 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6625 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
242W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB580
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FDB5800
HTML-Datenblatt
FDB5800-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB5800DKR
FDB5800CT
FDB5800TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BUK966R5-60E,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4779
TEILNUMMER
BUK966R5-60E,118-DG
Einheitspreis
0.89
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IPB80N06S405ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
753
TEILNUMMER
IPB80N06S405ATMA2-DG
Einheitspreis
0.78
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IPB054N06N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1043
TEILNUMMER
IPB054N06N3GATMA1-DG
Einheitspreis
0.72
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PSMN005-75B,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4338
TEILNUMMER
PSMN005-75B,118-DG
Einheitspreis
1.18
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IPB80N06S407ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1176
TEILNUMMER
IPB80N06S407ATMA2-DG
Einheitspreis
0.68
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
3LP01M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
BS170-D75Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
FDMS0309AS
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN