FDB3672
Hersteller Produktnummer:

FDB3672

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDB3672-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 7.2A (Ta), 44A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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FDB3672 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.2A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1710 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB367

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDB3672
HTML-Datenblatt
FDB3672-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SQM47N10-24L_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1580
TEILNUMMER
SQM47N10-24L_GE3-DG
Einheitspreis
0.93
ERSATZART
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Teilenummer
PHB47NQ10T,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
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16433
TEILNUMMER
PHB47NQ10T,118-DG
Einheitspreis
0.72
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0.44
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0.66
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PSMN034-100BS,118-DG
Einheitspreis
0.51
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
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