Hersteller Produktnummer:
FDB33N25TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB33N25TM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12850027
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FDB33N25TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2135 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
235W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB33N25
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2156-FDB33N25TM-OS
FDB33N25TMDKR
FAIFSCFDB33N25TM
FDB33N25TMCT
FDB33N25TMTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB17N25S3100ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1583
TEILNUMMER
IPB17N25S3100ATMA1-DG
Einheitspreis
0.89
ERSATZART
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