Hersteller Produktnummer:
FDB2532-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB2532-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 79A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12838389
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FDB2532-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5870 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB2532
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB2532_F085TR
FDB2532_F085TR-DG
FDB2532_F085-DG
FDB2532-F085DKR
FDB2532_F085
FDB2532-F085CT
FDB2532-F085TR
FDB2532_F085CT-DG
FDB2532_F085DKR-DG
FDB2532_F085CT
FDB2532_F085DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFS4115TRLPBF
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