FDB0165N807L
Hersteller Produktnummer:

FDB0165N807L

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDB0165N807L-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 310A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263-7

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FDB0165N807L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
310A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
304 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
23660 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
FDB0165

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB0165N807LTR
FDB0165N807L-DG
FDB0165N807LCT
FDB0165N807LDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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