Hersteller Produktnummer:
FCU600N65S3R0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCU600N65S3R0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
441 Stück Neu Original Auf Lager
12838412
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FCU600N65S3R0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
465 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
FCU600
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTU8N70X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
64
TEILNUMMER
IXTU8N70X2-DG
Einheitspreis
1.71
ERSATZART
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