Hersteller Produktnummer:
FCPF380N65FL1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF380N65FL1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10.2A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12850340
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FCPF380N65FL1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
FRFET®, SuperFET® II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1680 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF380
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-FCPF380N65FL1-OS
ONSONSFCPF380N65FL1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6011ENX
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
494
TEILNUMMER
R6011ENX-DG
Einheitspreis
1.27
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Direct
DIGI-Zertifizierung
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