FCPF250N65S3R0L
Hersteller Produktnummer:

FCPF250N65S3R0L

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FCPF250N65S3R0L-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

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FCPF250N65S3R0L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1010 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF250

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FCPF250N65S3R0L
HTML-Datenblatt
FCPF250N65S3R0L-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-FCPF250N65S3R0L-OS
ONSONSFCPF250N65S3R0L
2832-FCPF250N65S3R0L

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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