Hersteller Produktnummer:
FCPF190N60E-F152
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF190N60E-F152-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12839604
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FCPF190N60E-F152 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3175 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF190
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FCPF190N60E_F152
FCPF190N60E_F152-DG
2156-FCPF190N60E-F152-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOTF20S60L
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
977
TEILNUMMER
AOTF20S60L-DG
Einheitspreis
1.34
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