Hersteller Produktnummer:
FCP165N65S3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP165N65S3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12848638
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FCP165N65S3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
154W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP165
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FCP165N65S3OS
FCP165N65S3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPP24N60C3XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
129
TEILNUMMER
SPP24N60C3XKSA1-DG
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2.95
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