Hersteller Produktnummer:
FCP130N60
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP130N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
556 Stück Neu Original Auf Lager
12851115
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FCP130N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3590 pF @ 380 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP130
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHP28N65E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHP28N65E-GE3-DG
Einheitspreis
2.49
ERSATZART
Similar
Teilenummer
STP33N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
727
TEILNUMMER
STP33N60M2-DG
Einheitspreis
2.08
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDC796N_F077
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FCD600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
IRLM110ATF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4
