Hersteller Produktnummer:
FCP125N65S3R0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP125N65S3R0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
800 Stück Neu Original Auf Lager
12846058
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FCP125N65S3R0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 2.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1940 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
181W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP125
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FCP125N65S3R0OS
FCP125N65S3R0-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP60R099C7XKSA1
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0
TEILNUMMER
IPP60R099C7XKSA1-DG
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