Hersteller Produktnummer:
FCMT360N65S3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCMT360N65S3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Inventar:
12840199
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FCMT360N65S3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
730 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-PQFN (8x8)
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
FCMT360
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FCMT360N65S3OSTR
FCMT360N65S3OSDKR
FCMT360N65S3-DG
FCMT360N65S3OSCT
2156-FCMT360N65S3TR
2832-FCMT360N65S3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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