FCH25N60N
Hersteller Produktnummer:

FCH25N60N

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FCH25N60N-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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FCH25N60N Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SupreMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
216W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH25N60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FCH25N60N
HTML-Datenblatt
FCH25N60N-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
FCH25N60NOS
2156-FCH25N60N-488
FCH25N60N-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IPW60R099CPAFKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
196
TEILNUMMER
IPW60R099CPAFKSA1-DG
Einheitspreis
4.16
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