Hersteller Produktnummer:
EMF5XV6T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
EMF5XV6T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 357mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
12986570
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Menge
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EINREICHEN
EMF5XV6T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
EMF
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 12V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA, 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
357mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
EMF5XV
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
488-EMF5XV6T1GTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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