Hersteller Produktnummer:
DTC115EM3T5G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
DTC115EM3T5G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 260 mW Surface Mount SOT-723
Inventar:
4725 Stück Neu Original Auf Lager
12845258
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DTC115EM3T5G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
260 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-723
Basis-Produktnummer
DTC115
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
DTC115EM3T5GOSDKR
DTC115EM3T5GOSTR
2156-DTC115EM3T5G-OS
ONSONSDTC115EM3T5G
DTC115EM3T5G-DG
DTC115EM3T5GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN1130MFV,L3F
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
7533
TEILNUMMER
RN1130MFV,L3F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Direct
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