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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BUH51G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BUH51G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 500V 3A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 3 A 23MHz 50 W Through Hole TO-126
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12850330
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BUH51G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SWITCHMODE™
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
500 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 1A, 1V
Leistung - Max
50 W
Frequenz - Übergang
23MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
BUH51
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BUH51G
HTML-Datenblatt
BUH51G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ONSONSBUH51G
2156-BUH51G-ON
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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