Hersteller Produktnummer:
BS170
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BS170-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
9395 Stück Neu Original Auf Lager
12851504
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BS170 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
BS170
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
BS170OS-DG
2156-BS170-OS
BS170-NDR
BS170OS
FSCBS170
BS170OSINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
VN2106N3-G
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
6842
TEILNUMMER
VN2106N3-G-DG
Einheitspreis
0.34
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