Hersteller Produktnummer:
BS107ARL1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BS107ARL1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
12849828
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Menge
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BS107ARL1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Basis-Produktnummer
BS107
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
BS107ARL1GOSDKR-DG
BS107ARL1G-DG
BS107ARL1GOSCT
BS107ARL1GOSTR
BS107ARL1GOSDKR
BS107ARL1GOSDKRINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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