BD809G
Hersteller Produktnummer:

BD809G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

BD809G-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 80V 10A TO220
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220

Inventar:

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12850525
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BD809G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.1V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
15 @ 4A, 2V
Leistung - Max
90 W
Frequenz - Übergang
1.5MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Basis-Produktnummer
BD809

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BD809,810

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
BD809G-DG
BD809GOS
2156-BD809G-OS
ONSONSBD809G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
2N6488G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
501
TEILNUMMER
2N6488G-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
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