BD439G
Hersteller Produktnummer:

BD439G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

BD439G-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 60V 4A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126

Inventar:

95 Stück Neu Original Auf Lager
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BD439G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
800mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 1V
Leistung - Max
36 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
BD439

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BD439G
HTML-Datenblatt
BD439G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500
Andere Namen
2156-BD439G-OS
ONSONSBD439G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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