Hersteller Produktnummer:
BD435S
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BD435S-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 32V 4A TO126-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126-3
Inventar:
12846501
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Menge
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BD435S Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
32 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
36 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126-3
Basis-Produktnummer
BD435
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2832-BD435S-488
2832-BD435S
2156-BD435S-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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