Hersteller Produktnummer:
ATP302-TL-H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
ATP302-TL-H-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 70A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK
Inventar:
12836836
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ATP302-TL-H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5400 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ATPAK
Paket / Koffer
ATPAK (2 Leads+Tab)
Basis-Produktnummer
ATP302
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-ATP302-TL-H
ATP302-TL-HOSDKR
ATP302-TL-HOSCT
ATP302-TL-H-DG
ATP302-TL-HOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
2000
TEILNUMMER
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Einheitspreis
0.74
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