ATP216-TL-H

Hersteller Produktnummer:

ATP216-TL-H

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

ATP216-TL-H-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 50 V 35A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK

Inventar:

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12834984

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ATP216-TL-H Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

50 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

35A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.8V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 18A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

-

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2700 pF @ 20 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

ATPAK

Paket / Koffer

ATPAK (2 Leads+Tab)

Basis-Produktnummer

ATP216

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

ONSONSATP216-TL-H

2156-ATP216-TL-H-ONTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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