5LN01C-TB-E
Hersteller Produktnummer:

5LN01C-TB-E

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

5LN01C-TB-E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3

Inventar:

12835357
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5LN01C-TB-E Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
50 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6.6 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59-3/CP3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
5LN01

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
5LN01C-TB-EOSCT
5LN01C-TB-EOSTR
5LN01C-TB-EOSDKR
2156-5LN01C-TB-E
ONSONS5LN01C-TB-E
5LN01C-TB-E-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RUC002N05T116
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
611414
TEILNUMMER
RUC002N05T116-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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