Hersteller Produktnummer:
30C02S-TL-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
30C02S-TL-E-DG
Beschreibung:
BIP NPN 0.6A 30V
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 600 mA 540MHz 200 mW Surface Mount 3-SMCP
Inventar:
15000 Stück Neu Original Auf Lager
12953976
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30C02S-TL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
190mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 50mA, 2V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
540MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
3-SMCP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
6,662
Andere Namen
2156-30C02S-TL-E
ONSONS30C02S-TL-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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