2SK4209
Hersteller Produktnummer:

2SK4209

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

2SK4209-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB

Inventar:

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2SK4209 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PB
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK4209

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2SK4209
HTML-Datenblatt
2SK4209-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FQA13N80-F109
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
76
TEILNUMMER
FQA13N80-F109-DG
Einheitspreis
2.65
ERSATZART
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