Hersteller Produktnummer:
2SK4124-1E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SK4124-1E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 20A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Inventar:
12833741
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2SK4124-1E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P-3L
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK4124
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFQ20N50P3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
294
TEILNUMMER
IXFQ20N50P3-DG
Einheitspreis
2.40
ERSATZART
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