Hersteller Produktnummer:
2SJ665-DL-1EX
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SJ665-DL-1EX-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventar:
12834668
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2SJ665-DL-1EX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
2SJ665
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2156-2SJ665-DL-1EX-ON
ONSONS2SJ665-DL-1EX
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQB34P10TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FQB34P10TM-DG
Einheitspreis
1.23
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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