Hersteller Produktnummer:
2SJ652-1E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SJ652-1E-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Inventar:
12920749
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2SJ652-1E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4360 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3SG
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
2SJ652
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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