Hersteller Produktnummer:
2SD863F-AE
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SD863F-AE-DG
Beschreibung:
BIP NPN 1A 50V
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventar:
15000 Stück Neu Original Auf Lager
12938350
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2SD863F-AE Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 2V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
3-MP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,664
Andere Namen
ONSONS2SD863F-AE
2156-2SD863F-AE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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