Hersteller Produktnummer:
2SD734E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SD734E-DG
Beschreibung:
2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Inventar:
30260 Stück Neu Original Auf Lager
12967716
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2SD734E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
700 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 2V
Leistung - Max
600 mW
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
3-NP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,025
Andere Namen
2156-2SD734E-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Affected
DIGI-Zertifizierung
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