Hersteller Produktnummer:
2SD613E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SD613E-DG
Beschreibung:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 85 V 6 A 15MHz 40 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
4505 Stück Neu Original Auf Lager
12937152
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2SD613E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
85 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Leistung - Max
40 W
Frequenz - Übergang
15MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
485
Andere Namen
2156-2SD613E
ONSONS2SD613E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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