Hersteller Produktnummer:
2SD1801S-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SD1801S-E-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 50V 2A TP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 150MHz 800 mW Through Hole TP
Inventar:
12836831
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Menge
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2SD1801S-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
TP
Basis-Produktnummer
2SD1801
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ONSONS2SD1801S-E
2SD1801S-EOS
2156-2SD1801S-E
2832-2SD1801S-E
2SD1801S-E-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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