2SD1207T-AE
Hersteller Produktnummer:

2SD1207T-AE

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

2SD1207T-AE-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 50V 2A TO92
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 150MHz 1 W Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventar:

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12835505
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2SD1207T-AE Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
2SD1207

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2SD1207T-AEOSCT
2SD1207T-AE-DG
2SD1207T-AEOSTR
2156-2SD1207T-AE-ONTR-DG
ONSONS2SD1207T-AE
2156-2SD1207T-AE

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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